Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. Kazimieras Gaivenis, Gytis Juška, Vidas Kalesinskas. 2000.
МОП-транзистор с каналом n-типа — MOP tranzistorius su n kanalu statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. n channel metal oxide semiconductor transistor; n channel MOS transistor vok. n Kanal MOS Transistor, m rus. n канальный МОП транзистор, m; МОП транзистор с… … Radioelektronikos terminų žodynas
n-канальный МОП-транзистор — MOP tranzistorius su n kanalu statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. n channel metal oxide semiconductor transistor; n channel MOS transistor vok. n Kanal MOS Transistor, m rus. n канальный МОП транзистор, m; МОП транзистор с… … Radioelektronikos terminų žodynas
р-канальный МОП-транзистор — MOP tranzistorius su p kanalu statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. p channel metal oxide semiconductor transistor vok. p Kanal MOS Transistor, m rus. МОП транзистор с каналом p типа, m; р канальный МОП транзистор, m pranc.… … Radioelektronikos terminų žodynas
ТРАНЗИСТОР — полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления электрического тока и управления им. Транзисторы выпускаются в виде дискретных компонентов в индивидуальных корпусах или в виде активных элементов т.н. интегральных схем, где их размеры не… … Энциклопедия Кольера
Транзистор — Дискретные транзисторы в различном конструктивном оформлении … Википедия
МОП-структура — (металл оксид полупроводник) наиболее широко используемый тип полевых транзисторов. Структура состоит из металла и полупроводника, разделённых слоем оксида кремния SiO2. В общем случае структуру называют МДП (металл … … Википедия
Транзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT) — Транзистор с высокой подвижностью электронов (ТВПЭ) полевой транзистор, в котором для создания канала вместо легированной области, в отличие от обычных МОП транзисторов, используется контакт двух полупроводниковых материалов с различной шириной… … Википедия
Транзистор с высокой подвижностью электронов — (ТВПЭ) полевой транзистор, в котором для создания канала вместо легированной области, в отличие от обычных МОП транзисторов, используется контакт двух полупроводниковых материалов с различной шириной запрещенной зоны (т. н. гетеропереход)[1].… … Википедия
N-МОП — Эта статья или раздел нуждается в переработке. Пожалуйста, улучшите статью в соответствии с правилами написания статей … Википедия
ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР — транзистор, в к ром управление протекающим через него током осуществляется электрич. полем, перпендикулярным направлению тока. Принцип работы П. т., сформулированный в 1920 х гг., поясняется на рис. 1. Тонкая пластинка полупроводника (канал)… … Физическая энциклопедия
